在芯片制造方面，由于華爲和(hé)中芯國際被列入美國政府的實體清單（分别是答做中國最先進的芯片設計和(hé)代工），中國半導體産業受到了不小的影響師地。由于這一變化，從 2020 年 9 月(yuè)到 2021 年 11 月路家(yuè)，中國晶圓制造商在成熟節點（>=14nm）上增加了近 50 萬藍內片/月(yuè)的晶圓（WPM）産能，而在先進節點上僅增加了 1 萬片産能近車。僅中國的晶圓産能增長(cháng)就(jiù)占全球總量的劇知 26% 。2021 年，中國也開始了國産移動(dòng) 19nm DD黑高R4 DRAM 設備和(hé) 64 層 3D NAND 閃存芯片的商業出窗物貨，并開始了 128 層産品嘗試。雖然中國存儲器(qì)行業仍處于發展初店嗎期，但預計中國存儲器(qì)企業在未來五年内将實現(xiàn) 40街拍-50% 的年複合增長(cháng)率并具有很強的競争力。在後道筆端生産方面，中國是外包組裝、封裝和(hé)測試 (OSAT)海化 的全球領導者，其前三大 OSAT 參與者合計占據全球市(shì)場(c冷這hǎng)份額的 35% 以上。種種迹象表明，中國半導體芯片銷售的快速增長(cháng)很可(kě)能會內劇持續，這在很大程度上歸功于政府的堅定承諾以及面對不斷惡化的美中關醫錯系的強有力的政策支持。盡管中國要趕上現(xiàn)有的行業領導者還有很自藍長(cháng)的路(lù)要走——尤其是在先進節點代工生産、設少長備和(hé)材料方面——但随著(zhe)北(běi)京加強對半導體自力更生鐵科的關注，預計未來十年差距将進一步縮小。
