先進封裝：誰是赢家(jiā)？誰是輸家(jiā)？
近年來，因爲傳統的晶體管微縮方法走向了末路(lù)，于是産業便轉向封裝尋求章子提升芯片性能的新方法。例如(rú)近日的行業熱點新聞《打破Chiplet的頻場最後一道屏障，全新互聯标準UCIe宣告成立》，可(kě)以說把Ch愛劇iplet和(hé)先進封裝的熱度推向了又一個(gè)新高峰？
那麽爲什麽我(wǒ)們需要先進封裝呢(ne)？且看Yole解讀一下服廠(xià)。
來源:半導體行業觀察
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作(zuò)者:sophie
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發布時(shí)間(jiān): 2022-03-07
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爲什麽我(wǒ)們需要高性能封裝？
随著(zhe)前端節點越來越小，設計成本變得(de)越來越重要。高級吃什封裝 (AP) 解決方案通(tōng)過降低成本、提高系統性能、降低答票延遲、增加帶寬和(hé)電源效率來幫助解決這些問(wèn)題。高端性能封裝平台是 UHD FO、嵌入式 Si 橋、Si 中介層、3D 妹這堆棧存儲器(qì)和(hé) 3DSoC。嵌入式矽橋有兩種解決方件快案：台積電的 LSI 和(hé)英特爾的 EMIB。對于Si in道劇terposer，通(tōng)常有台積電、三星和(hé)聯電提供的為短經典版本，以及英特爾的Foveros。EMIB 與 Foveros 結黃子合産生了 Co-EMIB，用于 Intel 的 Ponte Vec個相chio。同時(shí)，3D 堆棧存儲器(qì)由 HBM、3間水DS 和(hé) 3D NAND 堆棧三個(gè)類别表示。數(shù)據中心網絡、高性能計算和(hé)自動(dòng)駕駛汽車(c呢懂hē)正在推動(dòng)高端性能封裝的采用，以及從技術(shù)角草冷度來看的演變。今天的趨勢是在雲、邊緣計算和(hé)設備級别擁有更大的計算她刀資源。因此，不斷增長(cháng)的需求正在推動(dòng)高端高性能封裝的民厭采用。
高性能封裝市(shì)場(chǎng)規模？據Yole預測，到 2027 年，高性能封裝市(shì)場(chǎng)爸員收入預計将達到78.7億美元，高于 2021 年的27.4億美元，2021-場匠2027 年的複合年增長(cháng)率爲 19%。到 2027從作 年，UHD FO、HBM、3DS 和(hé)有源 Si 中介層将占總市(但計shì)場(chǎng)份額的 50% 以上，是市(shì)場(ch科老ǎng)增長(cháng)的最大貢獻者。嵌入式 Si 橋、3D 街購NAND 堆棧、3D SoC 和(hé) HBM 是增長(c日刀háng)最快的四大貢獻者，每個(gè)貢獻者的 CAGR 都大于 2上笑0%。由于電信和(hé)基礎設施以及移動(dòng)和(hé)消費終端市(shì校睡)場(chǎng)中高端性能應用程序和(hé)人工智能的快速增長(ch生水áng)，這種演變是可(kě)能的。高端性能封裝代表了一個(gè)相的有對較小的業務，但對半導體行業産生了巨大的影響，因爲它是幫助滿足比摩爾要求哥友的關鍵解決方案之一。
誰是赢家(jiā)，誰是輸家(jiā)？2021 年，頂級參與者爲一攬子(zǐ)(zi)活動(dòng)進行了大志話約116億美元的資本支出投資，因爲他們意識到這對于對抗摩爾定律放緩的用裡重要性。英特爾是這個(gè)行業的最大的投資者，指出了35億美元。它的在畫 3D 芯片堆疊技術(shù)是 Foveros，它包括在有源矽中介層上物和堆疊芯片。嵌入式多芯片互連橋是其采用 55 微米凸塊間(ji熱自ān)距的 2.5D 封裝解決方案。Foveros 和(hé來但) EMIB 的結合誕生了 Co-EMIB，用于 Ponte V現年ecchio GPU。英特爾計劃爲 Foveros Direct 采用混合鍵書靜合技術(shù)。台積電緊随其後的是 30.5億美元的資本支出。在通(tōng)過 I分體nFO 解決方案爲 UHD FO 争取更多業務的同時(shí)，台積電還在爲 服也3D SoC 定義新的系統級路(lù)線圖和(hé)技術(shù)知請。其 CoWoS 平台提供 RDL 或矽中介層解決方案，而其 LS校友I 平台是 EMIB 的直接競争對手。台積電已成爲高端封裝巨頭，看師擁有領先的前端先進節點，可(kě)以主導下(xià)一代系統級封裝。
